製造商產品編號:
BSC16DN25NS3GATMA1
Product Overview
製造商:
Infineon Technologies
零件編號:
BSC16DN25NS3GATMA1-DG
描述:
MOSFET N-CH 250V 10.9A TDSON-8-5
详细描述:
N-Channel 250 V 10.9A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-5
庫存:
6986 全新原裝現貨
12799411
請求報價
數量
最低限1
最低限1
(*) 是必填的
我們會在24小時內回覆您
我們會在24小時內回覆您
提交
BSC16DN25NS3GATMA1 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
Infineon Technologies
包裝
Tape & Reel (TR)
系列
OptiMOS™
產品狀態
Active
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
250 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
10.9A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
165mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4V @ 32µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
11.4 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
920 pF @ 100 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
62.5W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
PG-TDSON-8-5
包裝 / 外殼
8-PowerTDFN
基本產品編號
BSC16DN25
資料表及文件
額外資訊
標準套餐
5,000
其他名稱
BSC16DN25NS3GTR-DG
BSC16DN25NS3GDKR
BSC16DN25NS3GATMA1DKR
BSC16DN25NS3GATMA1TR
BSC16DN25NS3GCT
BSC16DN25NS3GTR
SP000781782
BSC16DN25NS3GATMA1CT
BSC16DN25NS3GCT-DG
BSC16DN25NS3G
BSC16DN25NS3 G
BSC16DN25NS3GDKR-DG
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI 認證
相關產品
BSC0902NSATMA1
MOSFET N-CH 30V 24A/100A TDSON
BSS84PH6327XTSA1
MOSFET P-CH 60V 170MA SOT23-3
BSS138N E6433
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3
