製造商產品編號:
BSC026N02KSGAUMA1
Product Overview
製造商:
Infineon Technologies
零件編號:
BSC026N02KSGAUMA1-DG
描述:
MOSFET N-CH 20V 25A/100A TDSON
详细描述:
N-Channel 20 V 25A (Ta), 100A (Tc) 2.8W (Ta), 78W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
庫存:
1482 全新原裝現貨
12802355
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BSC026N02KSGAUMA1 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
Infineon Technologies
包裝
Tape & Reel (TR)
系列
OptiMOS™
產品狀態
Last Time Buy
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
20 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
25A (Ta), 100A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.6mOhm @ 50A, 4.5V
Vgs（th） （最大值） @ Id
1.2V @ 200µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
52.7 nC @ 4.5 V
Vgs （最大值）
±12V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
7800 pF @ 10 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
2.8W (Ta), 78W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
PG-TDSON-8-1
包裝 / 外殼
8-PowerTDFN
基本產品編號
BSC026
資料表及文件
額外資訊
標準套餐
5,000
其他名稱
BSC026N02KS GDKR-DG
BSC026N02KSGAUMA1TR
BSC026N02KSGAUMA1DKR
SP000379664
BSC026N02KS GCT
BSC026N02KS G
BSC026N02KSG
BSC026N02KS G-DG
BSC026N02KS GCT-DG
BSC026N02KS GTR
BSC026N02KS GTR-DG
BSC026N02KS GDKR
BSC026N02KSGAUMA1CT
2156-BSC026N02KSGAUMA1
INFINFBSC026N02KSGAUMA1
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
3 (168 Hours)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
部件編號
BSC018NE2LSATMA1
製造商
Infineon Technologies
可用數量
11357
部件號碼
BSC018NE2LSATMA1-DG
單位價格
0.49
替代類型
MFR Recommended
DIGI 認證
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