製造商產品編號:
BSC018NE2LSATMA1
Product Overview
製造商:
Infineon Technologies
零件編號:
BSC018NE2LSATMA1-DG
描述:
MOSFET N-CH 25V 29A/100A TDSON
详细描述:
N-Channel 25 V 29A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
庫存:
11357 全新原裝現貨
12798548
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BSC018NE2LSATMA1 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
Infineon Technologies
包裝
Tape & Reel (TR)
系列
OptiMOS™
產品狀態
Active
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
25 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
29A (Ta), 100A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.8mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
2V @ 250µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
39 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
2800 pF @ 12 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
2.5W (Ta), 69W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
PG-TDSON-8-1
包裝 / 外殼
8-PowerTDFN
基本產品編號
BSC018
資料表及文件
額外資訊
標準套餐
5,000
其他名稱
SP000756336
BSC018NE2LSCT-DG
BSC018NE2LS-DG
BSC018NE2LSATMA1DKR
BSC018NE2LSATMA1TR
BSC018NE2LSTR-DG
BSC018NE2LSCT
BSC018NE2LSDKR-DG
BSC018NE2LSATMA1CT
BSC018NE2LS
BSC018NE2LSDKR
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI 認證
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