BSC019N04NSGATMA1
製造商產品編號:

BSC019N04NSGATMA1

Product Overview

製造商:

Infineon Technologies

零件編號:

BSC019N04NSGATMA1-DG

描述:

MOSFET N-CH 40V 30A/100A TDSON
详细描述:
N-Channel 40 V 30A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1

庫存:

12801930
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BSC019N04NSGATMA1 技術規格

類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET,MOSFET
製造商
Infineon Technologies
包裝
Tape & Reel (TR)
系列
OptiMOS™
產品狀態
Active
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 (Vdss)
40 V
電流 - 連續漏極 (Id) @ 25°C
30A (Ta), 100A (Tc)
驅動電壓(最大 rds on,最小 rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.9mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (最大值) @ Id
4V @ 85µA
柵極電荷 (Qg) (Max) @ Vgs
108 nC @ 10 V
Vgs (最大值)
±20V
輸入電容 (Ciss) (Max) @ Vds
8800 pF @ 20 V
FET 特性
-
功率耗散(最大值)
2.5W (Ta), 125W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
PG-TDSON-8-1
包裝 / 外殼
8-PowerTDFN
基本產品編號
BSC019

資料表及文件

額外資訊

標準套餐
5,000
其他名稱
BSC019N04NSGATMA1CT
BSC019N04NS GDKR-DG
BSC019N04NS GCT
BSC019N04NS G-DG
BSC019N04NS GTR-DG
BSC019N04NSGATMA1CT-DGTR-DG
2156-BSC019N04NSGATMA1
BSC019N04NS G
BSC019N04NS GDKR
BSC019N04NS GCT-DG
BSC019N04NSGATMA1TR
BSC019N04NSGATMA1DKR
BSC019N04NSGATMA1DKR-DGTR-DG
INFINFBSC019N04NSGATMA1
SP000388299

環境及出口分類

RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

替代模型

部件編號
CSD18502Q5B
製造商
Texas Instruments
可用數量
3810
部件號碼
CSD18502Q5B-DG
單位價格
1.04
替代類型
MFR Recommended
部件編號
FDMS8460
製造商
onsemi
可用數量
23537
部件號碼
FDMS8460-DG
單位價格
1.12
替代類型
MFR Recommended
部件編號
CSD17307Q5A
製造商
Texas Instruments
可用數量
3409
部件號碼
CSD17307Q5A-DG
單位價格
0.24
替代類型
MFR Recommended
DIGI 認證
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