製造商產品編號:
BSZ165N04NSGATMA1
Product Overview
製造商:
Infineon Technologies
零件編號:
BSZ165N04NSGATMA1-DG
描述:
MOSFET N-CH 40V 8.9A/31A TSDSON
详细描述:
N-Channel 40 V 8.9A (Ta), 31A (Tc) 2.1W (Ta), 25W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
庫存:
12801975
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BSZ165N04NSGATMA1 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
Infineon Technologies
包裝
-
系列
OptiMOS™
產品狀態
Obsolete
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
40 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
8.9A (Ta), 31A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
16.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4V @ 10µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
10 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
840 pF @ 20 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
2.1W (Ta), 25W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
PG-TSDSON-8
包裝 / 外殼
8-PowerTDFN
資料表及文件
HTML 資料表
額外資訊
標準套餐
5,000
其他名稱
BSZ165N04NSGINTR-DG
BSZ165N04NSGINDKR-DG
IFEINFBSZ165N04NSGATMA1
BSZ165N04NS G
BSZ165N04NSG
BSZ165N04NSGATMA1DKR
BSZ165N04NSGINDKR
SP000391523
BSZ165N04NSGINCT-DG
BSZ165N04NSGATMA1CT
BSZ165N04NSGINCT
BSZ165N04NSGXT
2156-BSZ165N04NSGATMA1
BSZ165N04NSGINTR
BSZ165N04NSGATMA1TR
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
部件編號
RQ3G100GNTB
製造商
Rohm Semiconductor
可用數量
112698
部件號碼
RQ3G100GNTB-DG
單位價格
0.14
替代類型
MFR Recommended
部件編號
BSC054N04NSGATMA1
製造商
Infineon Technologies
可用數量
31911
部件號碼
BSC054N04NSGATMA1-DG
單位價格
0.33
替代類型
MFR Recommended
DIGI 認證
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