製造商產品編號:
G05N06S2
Product Overview
製造商:
Goford Semiconductor
零件編號:
G05N06S2-DG
描述:
MOSFET 2N-CH 60V 5A 8SOP
详细描述:
Mosfet Array 60V 5A (Tc) 3.1W (Tc) Surface Mount 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
庫存:
3825 全新原裝現貨
12988012
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G05N06S2 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管陣列
製造商
Goford Semiconductor
包裝
Tape & Reel (TR)
系列
TrenchFET®
產品狀態
Active
科技
MOSFET (Metal Oxide)
配置
2 N-Channel
FET 特性
Standard
漏源電壓 （Vdss）
60V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
35mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs（th） （最大值） @ Id
2.5V @ 250µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
22nC @ 10V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
1374pF @ 30V
功率 - 最大值
3.1W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
包裝 / 外殼
8-SOP
供應商設備包
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
基本產品編號
G05N
資料表及文件
數據表
額外資訊
標準套餐
4,000
其他名稱
3141-G05N06S2CT
4822-G05N06S2TR
3141-G05N06S2TR
3141-G05N06S2DKR
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
3 (168 Hours)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI 認證
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