製造商產品編號:
WAS530M12BM3
Product Overview
製造商:
Wolfspeed, Inc.
零件編號:
WAS530M12BM3-DG
描述:
SIC 2N-CH 1200V 630A
详细描述:
Mosfet Array 1200V (1.2kV) 630A (Tc) Chassis Mount
庫存:
12988031
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WAS530M12BM3 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管陣列
製造商
Wolfspeed
包裝
Box
系列
-
產品狀態
Active
科技
Silicon Carbide (SiC)
配置
2 N-Channel (Half Bridge)
FET 特性
-
漏源電壓 （Vdss）
1200V (1.2kV)
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
630A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.47mOhm @ 530A, 15V
Vgs（th） （最大值） @ Id
3.6V @ 127mA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
1362nC @ 15V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
38900pF @ 800V
功率 - 最大值
-
工作溫度
-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Chassis Mount
包裝 / 外殼
Module
供應商設備包
-
基本產品編號
WAS530
資料表及文件
數據表
額外資訊
標準套餐
1
其他名稱
-3312-WAS530M12BM3
1697-WAS530M12BM3
環境及出口分類
濕氣敏感度等級 （MSL）
Not Applicable
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI 認證
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