製造商產品編號:
DMT3009UDT-7
Product Overview
製造商:
Diodes Incorporated
零件編號:
DMT3009UDT-7-DG
描述:
MOSFET 2N-CH 30V 10.6A 8VDFN
详细描述:
Mosfet Array 30V 10.6A (Ta), 30A (Tc) 1.1W (Ta), 16W (Tc) Surface Mount V-DFN3030-8 (Type KS)
庫存:
13000611
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DMT3009UDT-7 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管陣列
製造商
Diodes Incorporated
包裝
Tape & Reel (TR)
系列
-
產品狀態
Active
科技
MOSFET (Metal Oxide)
配置
2 N-Channel (Dual) Common Source
FET 特性
-
漏源電壓 （Vdss）
30V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
10.6A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
11.1mOhm @ 11A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
1.8V @ 250µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
14.6nC @ 10V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
894pF @ 15V
功率 - 最大值
1.1W (Ta), 16W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
包裝 / 外殼
8-VDFN Exposed Pad
供應商設備包
V-DFN3030-8 (Type KS)
基本產品編號
DMT3009
資料表及文件
數據表
額外資訊
標準套餐
1,500
其他名稱
31-DMT3009UDT-7TR
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI 認證
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