製造商產品編號:
DMN33D8LDWQ-13
Product Overview
製造商:
Diodes Incorporated
零件編號:
DMN33D8LDWQ-13-DG
描述:
MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SOT363
详细描述:
Mosfet Array 30V 250mA (Ta) 350mW (Ta) Surface Mount SOT-363
庫存:
13000618
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DMN33D8LDWQ-13 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管陣列
製造商
Diodes Incorporated
包裝
Tape & Reel (TR)
系列
-
產品狀態
Active
科技
MOSFET (Metal Oxide)
配置
2 N-Channel (Dual)
FET 特性
-
漏源電壓 （Vdss）
30V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.4Ohm @ 250mA, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
1.5V @ 100µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
1.23nC @ 10V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
48pF @ 5V
功率 - 最大值
350mW (Ta)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
年級
Automotive
資格
AEC-Q101
安裝類型
Surface Mount
包裝 / 外殼
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包
SOT-363
基本產品編號
DMN33
資料表及文件
數據表
額外資訊
標準套餐
10,000
其他名稱
31-DMN33D8LDWQ-13TR
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI 認證
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