製造商產品編號:
DMN6013LFG-13
Product Overview
製造商:
Diodes Incorporated
零件編號:
DMN6013LFG-13-DG
描述:
MOSFET N-CH 60V 10.3A PWRDI3333
详细描述:
N-Channel 60 V 10.3A (Ta), 45A (Tc) 1W (Ta) Surface Mount POWERDI3333-8
庫存:
12888024
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DMN6013LFG-13 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
Diodes Incorporated
包裝
Tape & Reel (TR)
系列
-
產品狀態
Active
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
60 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
10.3A (Ta), 45A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
13mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
3V @ 250µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
55.4 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
2577 pF @ 30 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
1W (Ta)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
PowerDI3333-8
包裝 / 外殼
8-PowerVDFN
基本產品編號
DMN6013
資料表及文件
額外資訊
標準套餐
3,000
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
部件編號
DMN6013LFG-7
製造商
Diodes Incorporated
可用數量
25330
部件號碼
DMN6013LFG-7-DG
單位價格
0.23
替代類型
Parametric Equivalent
部件編號
DMN6013LFGQ-7
製造商
Diodes Incorporated
可用數量
1960
部件號碼
DMN6013LFGQ-7-DG
單位價格
0.28
替代類型
Parametric Equivalent
部件編號
TPH7R006PL,L1Q
製造商
Toshiba Semiconductor and Storage
可用數量
54092
部件號碼
TPH7R006PL,L1Q-DG
單位價格
0.25
替代類型
MFR Recommended
DIGI 認證
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