製造商產品編號:
DMN2013UFDE-7
Product Overview
製造商:
Diodes Incorporated
零件編號:
DMN2013UFDE-7-DG
描述:
MOSFET N-CH 20V 10.5A 6UDFN
详细描述:
N-Channel 20 V 10.5A (Ta) 660mW (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type E)
庫存:
3000 全新原裝現貨
12888027
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DMN2013UFDE-7 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
Diodes Incorporated
包裝
Tape & Reel (TR)
系列
-
產品狀態
Active
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
20 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
10.5A (Ta)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
11mOhm @ 8.5A, 4.5V
Vgs（th） （最大值） @ Id
1.1V @ 250µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
25.8 nC @ 8 V
Vgs （最大值）
±8V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
2453 pF @ 10 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
660mW (Ta)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
U-DFN2020-6 (Type E)
包裝 / 外殼
6-PowerUDFN
基本產品編號
DMN2013
資料表及文件
額外資訊
標準套餐
3,000
其他名稱
DMN2013UFDE-7DICT
DMN2013UFDE-7DITR
DMN2013UFDE7
DMN2013UFDE-7DIDKR
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI 認證
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