製造商產品編號:
DMN2009USS-13
Product Overview
製造商:
Diodes Incorporated
零件編號:
DMN2009USS-13-DG
描述:
MOSFET N-CH 20V 8SOIC
详细描述:
N-Channel 20 V 12.1A (Ta) 1.4W Surface Mount 8-SO
庫存:
1557 全新原裝現貨
12891619
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DMN2009USS-13 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
Diodes Incorporated
包裝
Tape & Reel (TR)
系列
-
產品狀態
Active
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
20 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
12.1A (Ta)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
2.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8mOhm @ 12A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
1.2V @ 250µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
34 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±12V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
1706 pF @ 10 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
1.4W
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
8-SO
包裝 / 外殼
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
基本產品編號
DMN2009
額外資訊
標準套餐
2,500
其他名稱
31-DMN2009USS-13DKR
31-DMN2009USS-13TR
DMN2009USS-13DI
31-DMN2009USS-13CT
DMN2009USS-13DI-DG
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
3 (168 Hours)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI 認證
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