DMTH10H015SPS-13
製造商產品編號:

DMTH10H015SPS-13

Product Overview

製造商:

Diodes Incorporated

零件編號:

DMTH10H015SPS-13-DG

描述:

MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
详细描述:
N-Channel 100 V 8.4A (Ta), 50.5A (Tc) 1.5W (Ta), 55W (Tc) Surface Mount PowerDI5060-8

庫存:

12891620
請求報價
數量
最低限1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) 是必填的
我們會在24小時內回覆您
提交

DMTH10H015SPS-13 技術規格

類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET,MOSFET
製造商
Diodes Incorporated
包裝
Tape & Reel (TR)
系列
-
產品狀態
Active
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 (Vdss)
100 V
電流 - 連續漏極 (Id) @ 25°C
8.4A (Ta), 50.5A (Tc)
驅動電壓(最大 rds on,最小 rds on)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
14.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (最大值) @ Id
4V @ 250µA
柵極電荷 (Qg) (Max) @ Vgs
30.1 nC @ 10 V
Vgs (最大值)
±20V
輸入電容 (Ciss) (Max) @ Vds
2343 pF @ 50 V
FET 特性
-
功率耗散(最大值)
1.5W (Ta), 55W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 175°C (TJ)
年級
Automotive
資格
AEC-Q101
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
PowerDI5060-8
包裝 / 外殼
8-PowerTDFN
基本產品編號
DMTH10

資料表及文件

額外資訊

標準套餐
2,500

環境及出口分類

RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

替代模型

部件編號
BSZ146N10LS5ATMA1
製造商
Infineon Technologies
可用數量
19691
部件號碼
BSZ146N10LS5ATMA1-DG
單位價格
0.57
替代類型
MFR Recommended
DIGI 認證
相關產品
toshiba-semiconductor-and-storage

SSM6K407TU,LF

MOSFET N-CH 60V 2A UF6

diodes

DMN2400UFDQ-13

MOSFET N-CH 20V 900MA 3DFN

diodes

DMP1005UFDF-13

MOSFET P-CH 12V 26A 6UDFN

toshiba-semiconductor-and-storage

TK8Q65W,S1Q

MOSFET N-CH 650V 7.8A IPAK