製造商產品編號:
DMN1019USNQ-7
Product Overview
製造商:
Diodes Incorporated
零件編號:
DMN1019USNQ-7-DG
描述:
MOSFET BVDSS: 8V~24V SC59 T&R 3K
详细描述:
N-Channel 12 V 9.3A (Ta) 680mW (Ta) Surface Mount SC-59-3
庫存:
13002775
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DMN1019USNQ-7 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
Diodes Incorporated
包裝
Tape & Reel (TR)
系列
-
產品狀態
Active
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
12 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
9.3A (Ta)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
1.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
10mOhm @ 9.7A, 4.5V
Vgs（th） （最大值） @ Id
800mV @ 250µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
50.6 nC @ 8 V
Vgs （最大值）
±8V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
2426 pF @ 10 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
680mW (Ta)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
年級
Automotive
資格
AEC-Q101
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
SC-59-3
包裝 / 外殼
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
基本產品編號
DMN1019
資料表及文件
額外資訊
標準套餐
3,000
其他名稱
31-DMN1019USNQ-7
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
部件編號
DMN1019USNQ-13
製造商
Diodes Incorporated
可用數量
0
部件號碼
DMN1019USNQ-13-DG
單位價格
0.10
替代類型
Parametric Equivalent
DIGI 認證
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