DMN2710UFB-7B

製造商產品編號:

DMN2710UFB-7B

Product Overview

製造商:

Diodes Incorporated

零件編號:

DMN2710UFB-7B-DG

描述:

MOSFET BVDSS: 8V~24V X1-DFN1006-

详细描述:

N-Channel 20 V 1.3A (Ta) 720mW (Ta) Surface Mount X1-DFN1006-3

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DMN2710UFB-7B 技術規格

類別

場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET

製造商

Diodes Incorporated

包裝

Bulk

系列

-

產品狀態

Active

FET 類型

N-Channel

科技

MOSFET (Metal Oxide)

漏源電壓（Vdss）

20 V

電流 - 連續漏極（Id） @ 25°C

1.3A (Ta)

驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）

1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

450mOhm @ 600mA, 4.5V

Vgs（th）（最大值） @ Id

1V @ 250µA

柵極電荷（Qg）（Max） @ Vgs

0.6 nC @ 4.5 V

Vgs （最大值）

±6V

輸入電容（Ciss）（Max） @ Vds

42 pF @ 16 V

FET 特性

-

功率耗散（最大值）

720mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包

X1-DFN1006-3

包裝 / 外殼

3-UFDFN

基本產品編號

DMN2710

資料表及文件

HTML 資料表

DMN2710UFB-7B-DG

資料表

數據表

額外資訊

標準套餐

10,000

其他名稱

31-DMN2710UFB-7B

環境及出口分類

RoHS 狀態

ROHS3 Compliant

REACH 狀態

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

替代模型

部件編號

DMN2710UFB-7

製造商

Diodes Incorporated

可用數量

0

部件號碼

DMN2710UFB-7-DG

單位價格

0.04

替代類型

Parametric Equivalent

DIGI 認證

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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