製造商產品編號:
XP60AN750IN
Product Overview
製造商:
YAGEO XSEMI
零件編號:
XP60AN750IN-DG
描述:
MOSFET N-CH 600V 10A TO220CFM
详细描述:
N-Channel 600 V 10A (Tc) 1.92W (Ta), 36.7W (Tc) Through Hole TO-220CFM
庫存:
1000 全新原裝現貨
13001984
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XP60AN750IN 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
包裝
Tube
系列
XP60AN750
產品狀態
Active
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
600 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
10A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
750mOhm @ 5A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4V @ 250µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
59.2 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±30V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
2688 pF @ 100 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
1.92W (Ta), 36.7W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Through Hole
供應商設備包
TO-220CFM
包裝 / 外殼
TO-220-3 Full Pack
基本產品編號
XP60
資料表及文件
額外資訊
標準套餐
50
其他名稱
5048-XP60AN750IN
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI 認證
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