製造商產品編號:
SISS27DN-T1-GE3
Product Overview
製造商:
Vishay Siliconix
零件編號:
SISS27DN-T1-GE3-DG
描述:
MOSFET P-CH 30V 50A PPAK 1212-8S
详细描述:
P-Channel 30 V 50A (Tc) 4.8W (Ta), 57W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S
庫存:
27000 全新原裝現貨
13009806
請求報價
數量
最低限1
最低限1
(*) 是必填的
我們會在24小時內回覆您
我們會在24小時內回覆您
提交
SISS27DN-T1-GE3 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
Vishay
包裝
Tape & Reel (TR)
系列
TrenchFET®
包裝
Tape & Reel (TR)
零件狀態
Active
FET 類型
P-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
30 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
50A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5.6mOhm @ 15A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
2.2V @ 250µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
140 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
5250 pF @ 15 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
4.8W (Ta), 57W (Tc)
工作溫度
-50°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
PowerPAK® 1212-8S
包裝 / 外殼
PowerPAK® 1212-8S
基本產品編號
SISS27
資料表及文件
HTML 資料表
資料表
DIGI 認證
相關產品
SIHH14N65EF-T1-GE3
MOSFET N-CH 650V 15A PPAK 8 X 8
SUM110P04-04L-E3
MOSFET P-CH 40V 110A TO263
SQM40081EL_GE3
MOSFET P-CH 40V 50A TO263
