SIRA02DP-T1-GE3
製造商產品編號:

SIRA02DP-T1-GE3

Product Overview

製造商:

Vishay Siliconix

零件編號:

SIRA02DP-T1-GE3-DG

描述:

MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8
详细描述:
N-Channel 30 V 50A (Tc) 5W (Ta), 71.4W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

庫存:

7498 全新原裝現貨
13060264
請求報價
數量
最低限1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) 是必填的
我們會在24小時內回覆您
提交

SIRA02DP-T1-GE3 技術規格

類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET,MOSFET
製造商
Vishay
包裝
Tape & Reel (TR)
系列
TrenchFET®
包裝
Tape & Reel (TR)
零件狀態
Active
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 (Vdss)
30 V
電流 - 連續漏極 (Id) @ 25°C
50A (Tc)
驅動電壓(最大 rds on,最小 rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (最大值) @ Id
2.2V @ 250µA
柵極電荷 (Qg) (Max) @ Vgs
117 nC @ 10 V
Vgs (最大值)
+20V, -16V
輸入電容 (Ciss) (Max) @ Vds
6150 pF @ 15 V
FET 特性
-
功率耗散(最大值)
5W (Ta), 71.4W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
PowerPAK® SO-8
包裝 / 外殼
PowerPAK® SO-8
基本產品編號
SIRA02

資料表及文件

額外資訊

標準套餐
3,000
其他名稱
SIRA02DP-T1-GE3DKR
SIRA02DP-T1-GE3TR
SIRA02DP-T1-GE3CT
SIRA02DPT1GE3

環境及出口分類

RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI 認證
相關產品
vishay

SQA442EJ-T1_GE3

MOSFET N-CH 60V 9A PPAK SC70-6

vishay

SI7758DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8

vishay

SI1413EDH-T1-E3

MOSFET P-CH 20V 2.3A SC70-6

vishay

SI7860ADP-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8