製造商產品編號:
SIHB6N80E-GE3
Product Overview
製造商:
Vishay Siliconix
零件編號:
SIHB6N80E-GE3-DG
描述:
MOSFET N-CH 800V 5.4A D2PAK
详细描述:
N-Channel 800 V 5.4A (Tc) 78W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
庫存:
13006418
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SIHB6N80E-GE3 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
Vishay
包裝
Tube
系列
E
包裝
Tube
零件狀態
Active
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
800 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
5.4A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
940mOhm @ 3A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4V @ 250µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
44 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±30V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
827 pF @ 100 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
78W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
TO-263 (D2PAK)
包裝 / 外殼
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
基本產品編號
SIHB6
資料表及文件
HTML 資料表
資料表
替代模型
DIGI 認證
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