SIHB22N60AE-GE3
製造商產品編號:

SIHB22N60AE-GE3

Product Overview

製造商:

Vishay Siliconix

零件編號:

SIHB22N60AE-GE3-DG

描述:

MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK
详细描述:
N-Channel 600 V 20A (Tc) 179W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

庫存:

13008672
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SIHB22N60AE-GE3 技術規格

類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET,MOSFET
製造商
Vishay
包裝
Tube
系列
E
包裝
Tube
零件狀態
Active
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 (Vdss)
600 V
電流 - 連續漏極 (Id) @ 25°C
20A (Tc)
驅動電壓(最大 rds on,最小 rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
180mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (最大值) @ Id
4V @ 250µA
柵極電荷 (Qg) (Max) @ Vgs
96 nC @ 10 V
Vgs (最大值)
±30V
輸入電容 (Ciss) (Max) @ Vds
1451 pF @ 100 V
FET 特性
-
功率耗散(最大值)
179W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
TO-263 (D2PAK)
包裝 / 外殼
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
基本產品編號
SIHB22

資料表及文件

替代模型

部件編號
FCB20N60FTM
製造商
onsemi
可用數量
2398
部件號碼
FCB20N60FTM-DG
單位價格
2.61
替代類型
MFR Recommended
部件編號
IPB60R160C6ATMA1
製造商
Infineon Technologies
可用數量
3347
部件號碼
IPB60R160C6ATMA1-DG
單位價格
1.71
替代類型
MFR Recommended
部件編號
STB21N65M5
製造商
STMicroelectronics
可用數量
1748
部件號碼
STB21N65M5-DG
單位價格
2.31
替代類型
MFR Recommended
部件編號
R6024ENJTL
製造商
Rohm Semiconductor
可用數量
831
部件號碼
R6024ENJTL-DG
單位價格
1.59
替代類型
MFR Recommended
部件編號
IPB60R180P7ATMA1
製造商
Infineon Technologies
可用數量
2501
部件號碼
IPB60R180P7ATMA1-DG
單位價格
0.88
替代類型
MFR Recommended
DIGI 認證
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