製造商產品編號:
SIHB22N60AE-GE3
Product Overview
製造商:
Vishay Siliconix
零件編號:
SIHB22N60AE-GE3-DG
描述:
MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK
详细描述:
N-Channel 600 V 20A (Tc) 179W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
庫存:
13008672
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SIHB22N60AE-GE3 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
Vishay
包裝
Tube
系列
E
包裝
Tube
零件狀態
Active
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
600 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
20A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
180mOhm @ 11A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4V @ 250µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
96 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±30V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
1451 pF @ 100 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
179W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
TO-263 (D2PAK)
包裝 / 外殼
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
基本產品編號
SIHB22
資料表及文件
HTML 資料表
資料表
替代模型
部件編號
IPB60R160C6ATMA1
製造商
Infineon Technologies
可用數量
3347
部件號碼
IPB60R160C6ATMA1-DG
單位價格
1.71
替代類型
MFR Recommended
部件編號
IPB60R180P7ATMA1
製造商
Infineon Technologies
可用數量
2501
部件號碼
IPB60R180P7ATMA1-DG
單位價格
0.88
替代類型
MFR Recommended
DIGI 認證
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