SI8467DB-T2-E1
製造商產品編號:

SI8467DB-T2-E1

Product Overview

製造商:

Vishay Siliconix

零件編號:

SI8467DB-T2-E1-DG

描述:

MOSFET P-CH 20V 4MICROFOOT
详细描述:
P-Channel 20 V 2.5A (Ta) 780mW (Ta), 1.8W (Tc) Surface Mount 4-Microfoot

庫存:

13058383
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SI8467DB-T2-E1 技術規格

類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET,MOSFET
製造商
Vishay
包裝
-
系列
TrenchFET®
包裝
Tape & Reel (TR)
零件狀態
Obsolete
FET 類型
P-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 (Vdss)
20 V
電流 - 連續漏極 (Id) @ 25°C
2.5A (Ta)
驅動電壓(最大 rds on,最小 rds on)
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
73mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th) (最大值) @ Id
1.5V @ 250µA
柵極電荷 (Qg) (Max) @ Vgs
21 nC @ 10 V
Vgs (最大值)
±12V
輸入電容 (Ciss) (Max) @ Vds
475 pF @ 10 V
FET 特性
-
功率耗散(最大值)
780mW (Ta), 1.8W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
4-Microfoot
包裝 / 外殼
4-XFBGA, CSPBGA
基本產品編號
SI8467

額外資訊

標準套餐
3,000
其他名稱
SI8467DB-T2-E1TR
SI8467DBT2E1
SI8467DB-T2-E1CT
SI8467DB-T2-E1DKR

環境及出口分類

RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

替代模型

部件編號
SI8489EDB-T2-E1
製造商
Vishay Siliconix
可用數量
4861
部件號碼
SI8489EDB-T2-E1-DG
單位價格
0.12
替代類型
MFR Recommended
DIGI 認證
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