製造商產品編號:
SI4936BDY-T1-E3
Product Overview
製造商:
Vishay Siliconix
零件編號:
SI4936BDY-T1-E3-DG
描述:
MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8SOIC
详细描述:
Mosfet Array 30V 6.9A 2.8W Surface Mount 8-SOIC
庫存:
10219 全新原裝現貨
13055479
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SI4936BDY-T1-E3 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管陣列
製造商
Vishay
包裝
Tape & Reel (TR)
製造者
Vishay Siliconix
系列
TrenchFET®
包裝
Tape & Reel (TR)
零件狀態
Last Time Buy
科技
MOSFET (Metal Oxide)
配置
2 N-Channel (Dual)
FET 特性
Logic Level Gate
漏源電壓 （Vdss）
30V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
6.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
35mOhm @ 5.9A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
3V @ 250µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
15nC @ 10V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
530pF @ 15V
功率 - 最大值
2.8W
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
包裝 / 外殼
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包
8-SOIC
基本產品編號
SI4936
資料表及文件
HTML 資料表
資料表
額外資訊
標準套餐
2,500
其他名稱
SI4936BDYT1E3
SI4936BDY-T1-E3TR
SI4936BDY-T1-E3CT
SI4936BDY-T1-E3DKR
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
部件編號
ZXMN3A06DN8TA
製造商
Diodes Incorporated
可用數量
1033
部件號碼
ZXMN3A06DN8TA-DG
單位價格
0.41
替代類型
MFR Recommended
部件編號
RGW80TS65GC11
製造商
Rohm Semiconductor
可用數量
152
部件號碼
RGW80TS65GC11-DG
單位價格
2.33
替代類型
MFR Recommended
部件編號
AO4840
製造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
可用數量
17785
部件號碼
AO4840-DG
單位價格
0.21
替代類型
MFR Recommended
DIGI 認證
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