製造商產品編號:
SI4559ADY-T1-GE3
Product Overview
製造商:
Vishay Siliconix
零件編號:
SI4559ADY-T1-GE3-DG
描述:
MOSFET N/P-CH 60V 5.3A 8SOIC
详细描述:
Mosfet Array 60V 5.3A, 3.9A 3.1W, 3.4W Surface Mount 8-SOIC
庫存:
5066 全新原裝現貨
13057595
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SI4559ADY-T1-GE3 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管陣列
製造商
Vishay
包裝
Tape & Reel (TR)
製造者
Vishay Siliconix
系列
TrenchFET®
包裝
Tape & Reel (TR)
零件狀態
Last Time Buy
科技
MOSFET (Metal Oxide)
配置
N and P-Channel
FET 特性
Logic Level Gate
漏源電壓 （Vdss）
60V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
5.3A, 3.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
58mOhm @ 4.3A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
3V @ 250µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
20nC @ 10V, 22nC @ 10V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
665pF @ 15V, 650pF @ 15V
功率 - 最大值
3.1W, 3.4W
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
包裝 / 外殼
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包
8-SOIC
基本產品編號
SI4559
資料表及文件
額外資訊
標準套餐
2,500
其他名稱
SI4559ADYT1GE3
SI4559ADY-T1-GE3TR
SI4559ADY-T1-GE3DKR
SI4559ADY-T1-GE3CT
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
部件編號
ZXMC6A09DN8TA
製造商
Diodes Incorporated
可用數量
500
部件號碼
ZXMC6A09DN8TA-DG
單位價格
0.80
替代類型
MFR Recommended
DIGI 認證
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