製造商產品編號:
SI3812DV-T1-GE3
Product Overview
製造商:
Vishay Siliconix
零件編號:
SI3812DV-T1-GE3-DG
描述:
MOSFET N-CH 20V 2A 6TSOP
详细描述:
N-Channel 20 V 2A (Ta) 830mW (Ta) Surface Mount 6-TSOP
庫存:
13060452
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SI3812DV-T1-GE3 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
Vishay
包裝
-
系列
LITTLE FOOT®
包裝
Tape & Reel (TR)
零件狀態
Obsolete
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
20 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
2A (Ta)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
125mOhm @ 2.4A, 4.5V
Vgs（th） （最大值） @ Id
600mV @ 250µA (Min)
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
4 nC @ 4.5 V
Vgs （最大值）
±12V
FET 特性
Schottky Diode (Isolated)
功率耗散（最大值）
830mW (Ta)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
6-TSOP
包裝 / 外殼
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
基本產品編號
SI3812
額外資訊
標準套餐
3,000
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI 認證
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