製造商產品編號:
SI3475DV-T1-GE3
Product Overview
製造商:
Vishay Siliconix
零件編號:
SI3475DV-T1-GE3-DG
描述:
MOSFET P-CH 200V 0.95A 6-TSOP
详细描述:
P-Channel 200 V 950mA (Tc) Surface Mount 6-TSOP
庫存:
13057239
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SI3475DV-T1-GE3 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
Vishay
包裝
-
系列
-
包裝
Cut Tape (CT)
零件狀態
Obsolete
FET 類型
P-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
200 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
950mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.61Ohm @ 900mA, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4V @ 250µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
18 nC @ 10 V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
500 pF @ 50 V
FET 特性
-
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
6-TSOP
包裝 / 外殼
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
基本產品編號
SI3475
額外資訊
標準套餐
3,000
其他名稱
SI3475DV-T1-GE3DKR
SI3475DV-T1-GE3CT
SI3475DV-T1-GE3TR
Q9162672
SI3475DVT1GE3
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
部件編號
SI3437DV-T1-GE3
製造商
Vishay Siliconix
可用數量
14589
部件號碼
SI3437DV-T1-GE3-DG
單位價格
0.28
替代類型
MFR Recommended
DIGI 認證
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