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製造商產品編號:
IRFR210TRRPBF
Product Overview
製造商:
Vishay Siliconix
零件編號:
IRFR210TRRPBF-DG
描述:
MOSFET N-CH 200V 2.6A DPAK
详细描述:
N-Channel 200 V 2.6A (Tc) 2.5W (Ta), 25W (Tc) Surface Mount DPAK
庫存:
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IRFR210TRRPBF 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET,MOSFET
製造商
Vishay
包裝
Tape & Reel (TR)
系列
-
包裝
Tape & Reel (TR)
零件狀態
Active
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 (Vdss)
200 V
電流 - 連續漏極 (Id) @ 25°C
2.6A (Tc)
驅動電壓(最大 rds on,最小 rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.5Ohm @ 1.6A, 10V
Vgs(th) (最大值) @ Id
4V @ 250µA
柵極電荷 (Qg) (Max) @ Vgs
8.2 nC @ 10 V
Vgs (最大值)
±20V
輸入電容 (Ciss) (Max) @ Vds
140 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散(最大值)
2.5W (Ta), 25W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
DPAK
包裝 / 外殼
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
基本產品編號
IRFR210
資料表及文件
HTML 資料表
IRFR210TRRPBF-DG
資料表
IRFR210TRRPBF
數據表
IRFR,IRFU,SiHFR,SiHFU_210
額外資訊
標準套餐
3,000
其他名稱
IRFR210TRRPBFTR
IRFR210TRRPBF-ND
IRFR210TRRPBFCT
IRFR210TRRPBFDKR
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
部件編號
IRFR210TRLPBF
製造商
Vishay Siliconix
可用數量
4873
部件號碼
IRFR210TRLPBF-DG
單位價格
0.39
替代類型
Parametric Equivalent
部件編號
FQD4N20TM
製造商
Fairchild Semiconductor
可用數量
2552
部件號碼
FQD4N20TM-DG
單位價格
0.26
替代類型
MFR Recommended
部件編號
IRFR210TRPBF
製造商
Vishay Siliconix
可用數量
8539
部件號碼
IRFR210TRPBF-DG
單位價格
0.39
替代類型
Parametric Equivalent
DIGI 認證
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