製造商產品編號:
SQD97N06-6M3L_GE3
Product Overview
製造商:
Vishay Siliconix
零件編號:
SQD97N06-6M3L_GE3-DG
描述:
MOSFET N-CH 60V 97A TO252AA
详细描述:
N-Channel 60 V 97A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount TO-252AA
庫存:
398 全新原裝現貨
12787154
請求報價
數量
最低限1
最低限1
(*) 是必填的
我們會在24小時內回覆您
我們會在24小時內回覆您
提交
SQD97N06-6M3L_GE3 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
Vishay
包裝
Tape & Reel (TR)
系列
TrenchFET®
產品狀態
Active
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
60 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
97A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6.3mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
2.5V @ 250µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
125 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
6060 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
136W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 175°C (TJ)
年級
Automotive
資格
AEC-Q101
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
TO-252AA
包裝 / 外殼
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
基本產品編號
SQD97
資料表及文件
額外資訊
標準套餐
2,000
其他名稱
SQD97N06-6M3L_GE3TR
SQD97N06-6M3L_GE3-DG
SQD97N06-6M3L_GE3CT
SQD97N06-6M3L-GE3
SQD97N06-6M3L_GE3DKR
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
部件編號
IPD90N06S4L06ATMA2
製造商
Infineon Technologies
可用數量
3430
部件號碼
IPD90N06S4L06ATMA2-DG
單位價格
0.52
替代類型
MFR Recommended
部件編號
SQR97N06-6M3L_GE3
製造商
Vishay Siliconix
可用數量
1994
部件號碼
SQR97N06-6M3L_GE3-DG
單位價格
0.59
替代類型
Parametric Equivalent
DIGI 認證
相關產品
SIHP25N40D-GE3
MOSFET N-CH 400V 25A TO220AB
SIHD6N80E-GE3
MOSFET N-CH 800V 5.4A DPAK
SUP85N10-10P-GE3
MOSFET N-CH 100V 85A TO220AB
