製造商產品編號:
SIR5102DP-T1-RE3
Product Overview
製造商:
Vishay Siliconix
零件編號:
SIR5102DP-T1-RE3-DG
描述:
N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
详细描述:
N-Channel 100 V 27A (Ta), 110A (Tc) 6.25W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
庫存:
5853 全新原裝現貨
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SIR5102DP-T1-RE3 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
Vishay
包裝
Tape & Reel (TR)
系列
TrenchFET® Gen V
產品狀態
Active
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
100 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
27A (Ta), 110A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
7.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.1mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4V @ 250µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
51 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
2850 pF @ 50 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
6.25W (Ta), 104W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
PowerPAK® SO-8
包裝 / 外殼
PowerPAK® SO-8
資料表及文件
數據表
額外資訊
標準套餐
3,000
其他名稱
742-SIR5102DP-T1-RE3CT
742-SIR5102DP-T1-RE3DKR
742-SIR5102DP-T1-RE3TR
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI 認證
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