製造商產品編號:
SIHFBC40AS-GE3
Product Overview
製造商:
Vishay Siliconix
零件編號:
SIHFBC40AS-GE3-DG
描述:
MOSFET N-CHANNEL 600V
详细描述:
N-Channel 600 V 6.2A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
庫存:
1993 全新原裝現貨
13000363
請求報價
數量
最低限1
最低限1
V0bZ
(*) 是必填的
我們會在24小時內回覆您
我們會在24小時內回覆您
提交
SIHFBC40AS-GE3 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
Vishay
包裝
Tape & Reel (TR)
系列
-
產品狀態
Active
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
600 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
6.2A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.2Ohm @ 3.7A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4V @ 250µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
42 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±30V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
1036 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
125W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
TO-263 (D2PAK)
包裝 / 外殼
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
資料表及文件
額外資訊
標準套餐
1,000
其他名稱
742-SIHFBC40AS-GE3CT
742-SIHFBC40AS-GE3TR
742-SIHFBC40AS-GE3DKR
環境及出口分類
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI 認證
相關產品
G18P03D3
P30V,RD(MAX)<10M@-10V,RD(MAX)<15
IRFB5615PBFXKMA1
MOSFET N-CH
DMN2991UFO-7B
MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN0604-
