SIHF8N50D-E3
製造商產品編號:

SIHF8N50D-E3

Product Overview

製造商:

Vishay Siliconix

零件編號:

SIHF8N50D-E3-DG

描述:

MOSFET N-CH 500V 8.7A TO220
详细描述:
N-Channel 500 V 8.7A (Tc) 33W (Tc) Through Hole TO-220 Full Pack

庫存:

12966669
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SIHF8N50D-E3 技術規格

類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET,MOSFET
製造商
Vishay
包裝
Tube
系列
-
產品狀態
Active
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 (Vdss)
500 V
電流 - 連續漏極 (Id) @ 25°C
8.7A (Tc)
驅動電壓(最大 rds on,最小 rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
850mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (最大值) @ Id
5V @ 250µA
柵極電荷 (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (最大值)
±30V
輸入電容 (Ciss) (Max) @ Vds
527 pF @ 100 V
FET 特性
-
功率耗散(最大值)
33W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Through Hole
供應商設備包
TO-220 Full Pack
包裝 / 外殼
TO-220-3 Full Pack
基本產品編號
SIHF8

資料表及文件

HTML 資料表
資料表
數據表

額外資訊

標準套餐
1,000
其他名稱
SIHF8N50D-E3CT
SIHF8N50D-E3TR-DG
SIHF8N50D-E3TR
SIHF8N50D-E3TRINACTIVE
SIHF8N50D-E3CT-DG
SIHF8N50DE3

環境及出口分類

RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

替代模型

部件編號
TK8A50DA(STA4,Q,M)
製造商
Toshiba Semiconductor and Storage
可用數量
38
部件號碼
TK8A50DA(STA4,Q,M)-DG
單位價格
0.53
替代類型
MFR Recommended
部件編號
TK8A50D(STA4,Q,M)
製造商
Toshiba Semiconductor and Storage
可用數量
43
部件號碼
TK8A50D(STA4,Q,M)-DG
單位價格
0.56
替代類型
MFR Recommended
部件編號
STF8NM50N
製造商
STMicroelectronics
可用數量
996
部件號碼
STF8NM50N-DG
單位價格
0.67
替代類型
MFR Recommended
部件編號
FDPF8N50NZ
製造商
onsemi
可用數量
29
部件號碼
FDPF8N50NZ-DG
單位價格
1.59
替代類型
MFR Recommended
部件編號
TK9A55DA(STA4,Q,M)
製造商
Toshiba Semiconductor and Storage
可用數量
50
部件號碼
TK9A55DA(STA4,Q,M)-DG
單位價格
0.74
替代類型
MFR Recommended
DIGI 認證
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