製造商產品編號:
SIHA11N80E-GE3
Product Overview
製造商:
Vishay Siliconix
零件編號:
SIHA11N80E-GE3-DG
描述:
MOSFET N-CH 800V 12A TO220
详细描述:
N-Channel 800 V 12A (Tc) 34W (Tc) Through Hole TO-220 Full Pack
庫存:
1334 全新原裝現貨
12965807
請求報價
數量
最低限1
最低限1
(*) 是必填的
我們會在24小時內回覆您
我們會在24小時內回覆您
提交
SIHA11N80E-GE3 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
Vishay
包裝
Tube
系列
E
產品狀態
Active
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
800 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
12A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
440mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4V @ 250µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
88 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±30V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
1670 pF @ 100 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
34W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Through Hole
供應商設備包
TO-220 Full Pack
包裝 / 外殼
TO-220-3 Full Pack
基本產品編號
SIHA11
資料表及文件
數據表
額外資訊
標準套餐
50
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI 認證
相關產品
SQJA04EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 60V 75A PPAK SO-8
SQ3426AEEV-T1_GE3
MOSFET N-CH 60V 7A 6TSOP
SI4876DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 14A 8SO
