製造商產品編號:
SIA912DJ-T1-GE3
Product Overview
製造商:
Vishay Siliconix
零件編號:
SIA912DJ-T1-GE3-DG
描述:
MOSFET 2N-CH 12V 4.5A SC70-6
详细描述:
Mosfet Array 12V 4.5A 6.5W Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Dual
庫存:
12787474
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SIA912DJ-T1-GE3 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管陣列
製造商
Vishay
包裝
-
系列
TrenchFET®
產品狀態
Obsolete
科技
MOSFET (Metal Oxide)
配置
2 N-Channel (Dual)
FET 特性
Logic Level Gate
漏源電壓 （Vdss）
12V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
4.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
40mOhm @ 4.2A, 4.5V
Vgs（th） （最大值） @ Id
1V @ 250µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
11.5nC @ 8V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
400pF @ 6V
功率 - 最大值
6.5W
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
包裝 / 外殼
PowerPAK® SC-70-6 Dual
供應商設備包
PowerPAK® SC-70-6 Dual
基本產品編號
SIA912
額外資訊
標準套餐
3,000
其他名稱
SIA912DJ-T1-GE3TR
SIA912DJT1GE3
SIA912DJ-T1-GE3CT
SIA912DJ-T1-GE3DKR
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
部件編號
SIA910EDJ-T1-GE3
製造商
Vishay Siliconix
可用數量
2096
部件號碼
SIA910EDJ-T1-GE3-DG
單位價格
0.17
替代類型
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DIGI 認證
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