SI8416DB-T2-E1
製造商產品編號:

SI8416DB-T2-E1

Product Overview

製造商:

Vishay Siliconix

零件編號:

SI8416DB-T2-E1-DG

描述:

MOSFET N-CH 8V 16A 6MICRO FOOT
详细描述:
N-Channel 8 V 16A (Tc) 2.77W (Ta), 13W (Tc) Surface Mount 6-Micro Foot™ (1.5x1)

庫存:

16052 全新原裝現貨
12914146
請求報價
數量
最低限1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) 是必填的
我們會在24小時內回覆您
提交

SI8416DB-T2-E1 技術規格

類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET,MOSFET
製造商
Vishay
包裝
Tape & Reel (TR)
系列
TrenchFET®
產品狀態
Active
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 (Vdss)
8 V
電流 - 連續漏極 (Id) @ 25°C
16A (Tc)
驅動電壓(最大 rds on,最小 rds on)
1.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
23mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs(th) (最大值) @ Id
800mV @ 250µA
柵極電荷 (Qg) (Max) @ Vgs
26 nC @ 4.5 V
Vgs (最大值)
±5V
輸入電容 (Ciss) (Max) @ Vds
1470 pF @ 4 V
FET 特性
-
功率耗散(最大值)
2.77W (Ta), 13W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
6-Micro Foot™ (1.5x1)
包裝 / 外殼
6-UFBGA
基本產品編號
SI8416

資料表及文件

HTML 資料表
資料表
數據表

額外資訊

標準套餐
3,000
其他名稱
SI8416DB-T2-E1-DG
SI8416DB-T2-E1DKR
SI8416DB-T2-E1CT
SI8416DB-T2-E1TR

環境及出口分類

RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI 認證
相關產品
vishay-siliconix

IRFZ24STRRPBF

MOSFET N-CH 60V 17A TO263

vishay-siliconix

SI3458BDV-T1-E3

MOSFET N-CH 60V 4.1A 6TSOP

vishay-siliconix

SI1304BDL-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 900MA SC70-3

vishay-siliconix

SI7615CDN-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8