製造商產品編號:
SI7629DN-T1-GE3
Product Overview
製造商:
Vishay Siliconix
零件編號:
SI7629DN-T1-GE3-DG
描述:
MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8
详细描述:
P-Channel 20 V 35A (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
庫存:
24057 全新原裝現貨
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SI7629DN-T1-GE3 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
Vishay
包裝
Tape & Reel (TR)
系列
TrenchFET®
產品狀態
Active
FET 類型
P-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
20 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
35A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
2.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.6mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
1.5V @ 250µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
177 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±12V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
5790 pF @ 10 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
3.7W (Ta), 52W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
PowerPAK® 1212-8
包裝 / 外殼
PowerPAK® 1212-8
基本產品編號
SI7629
資料表及文件
額外資訊
標準套餐
3,000
其他名稱
SI7629DN-T1-GE3TR
SI7629DN-T1-GE3CT
SI7629DN-T1-GE3DKR
SI7629DNT1GE3
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH info available upon request
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI 認證
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