製造商產品編號:
SI7119DN-T1-GE3
Product Overview
製造商:
Vishay Siliconix
零件編號:
SI7119DN-T1-GE3-DG
描述:
MOSFET P-CH 200V 3.8A PPAK1212-8
详细描述:
P-Channel 200 V 3.8A (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
庫存:
32865 全新原裝現貨
12914112
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SI7119DN-T1-GE3 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
Vishay
包裝
Tape & Reel (TR)
系列
TrenchFET®
產品狀態
Active
FET 類型
P-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
200 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
3.8A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.05Ohm @ 1A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4V @ 250µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
666 pF @ 50 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
3.7W (Ta), 52W (Tc)
工作溫度
-50°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
PowerPAK® 1212-8
包裝 / 外殼
PowerPAK® 1212-8
基本產品編號
SI7119
資料表及文件
額外資訊
標準套餐
3,000
其他名稱
SI7119DN-T1-GE3CT
SI7119DN-T1-GE3DKR
SI7119DN-T1-GE3TR
SI7119DNT1GE3
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI 認證
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