SI6443DQ-T1-GE3
製造商產品編號:

SI6443DQ-T1-GE3

Product Overview

製造商:

Vishay Siliconix

零件編號:

SI6443DQ-T1-GE3-DG

描述:

MOSFET P-CH 30V 7.3A 8TSSOP
详细描述:
P-Channel 30 V 7.3A (Ta) 1.05W (Ta) Surface Mount 8-TSSOP

庫存:

12918160
請求報價
數量
最低限1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) 是必填的
我們會在24小時內回覆您
提交

SI6443DQ-T1-GE3 技術規格

類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET,MOSFET
製造商
Vishay
包裝
-
系列
TrenchFET®
產品狀態
Obsolete
FET 類型
P-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 (Vdss)
30 V
電流 - 連續漏極 (Id) @ 25°C
7.3A (Ta)
驅動電壓(最大 rds on,最小 rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
12mOhm @ 8.8A, 10V
Vgs(th) (最大值) @ Id
3V @ 250µA
柵極電荷 (Qg) (Max) @ Vgs
60 nC @ 5 V
Vgs (最大值)
±20V
FET 特性
-
功率耗散(最大值)
1.05W (Ta)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
8-TSSOP
包裝 / 外殼
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
基本產品編號
SI6443

額外資訊

標準套餐
3,000
其他名稱
SI6443DQ-T1-GE3DKR
SI6443DQ-T1-GE3TR
SI6443DQT1GE3
SI6443DQ-T1-GE3CT

環境及出口分類

RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI 認證
相關產品
vishay-siliconix

SIR836DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 40V 21A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SUD17N25-165-E3

MOSFET N-CH 250V 17A TO252

vishay-siliconix

SQM120N10-3M8_GE3

MOSFET N-CH 100V 120A TO263

nexperia

PSMN014-80YLX

MOSFET N-CH 80V 62A LFPAK56