SI5509DC-T1-E3
製造商產品編號:

SI5509DC-T1-E3

Product Overview

製造商:

Vishay Siliconix

零件編號:

SI5509DC-T1-E3-DG

描述:

MOSFET N/P-CH 20V 6.1A 1206-8
详细描述:
Mosfet Array 20V 6.1A, 4.8A 4.5W Surface Mount 1206-8 ChipFET™

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SI5509DC-T1-E3 技術規格

類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管陣列
製造商
Vishay
包裝
-
系列
TrenchFET®
產品狀態
Obsolete
科技
MOSFET (Metal Oxide)
配置
N and P-Channel
FET 特性
Logic Level Gate
漏源電壓 （Vdss）
20V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
6.1A, 4.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
52mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs（th） （最大值） @ Id
2V @ 250µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
6.6nC @ 5V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
455pF @ 10V
功率 - 最大值
4.5W
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
包裝 / 外殼
8-SMD, Flat Lead
供應商設備包
1206-8 ChipFET™
基本產品編號
SI5509

額外資訊

標準套餐
3,000
其他名稱
SI5509DCT1E3
SI5509DC-T1-E3CT
SI5509DC-T1-E3TR
SI5509DC-T1-E3DKR

環境及出口分類

RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

替代模型

部件編號
TT8M1TR
製造商
Rohm Semiconductor
可用數量
6717
部件號碼
TT8M1TR-DG
單位價格
0.14
替代類型
MFR Recommended
DIGI 認證
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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