SI4842BDY-T1-GE3
製造商產品編號:

SI4842BDY-T1-GE3

Product Overview

製造商:

Vishay Siliconix

零件編號:

SI4842BDY-T1-GE3-DG

描述:

MOSFET N-CH 30V 28A 8SO
详细描述:
N-Channel 30 V 28A (Tc) 3W (Ta), 6.25W (Tc) Surface Mount 8-SOIC

庫存:

1589 全新原裝現貨
12915870
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SI4842BDY-T1-GE3 技術規格

類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET,MOSFET
製造商
Vishay
包裝
Tape & Reel (TR)
系列
TrenchFET®
產品狀態
Active
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 (Vdss)
30 V
電流 - 連續漏極 (Id) @ 25°C
28A (Tc)
驅動電壓(最大 rds on,最小 rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.2mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (最大值) @ Id
3V @ 250µA
柵極電荷 (Qg) (Max) @ Vgs
100 nC @ 10 V
Vgs (最大值)
±20V
輸入電容 (Ciss) (Max) @ Vds
3650 pF @ 15 V
FET 特性
-
功率耗散(最大值)
3W (Ta), 6.25W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
8-SOIC
包裝 / 外殼
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
基本產品編號
SI4842

資料表及文件

額外資訊

標準套餐
2,500
其他名稱
SI4842BDY-T1-GE3DKR
SI4842BDY-T1-GE3TR
SI4842BDY-T1-GE3CT
SI4842BDYT1GE3

環境及出口分類

RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

替代模型

部件編號
FDS6670A
製造商
Fairchild Semiconductor
可用數量
2525
部件號碼
FDS6670A-DG
單位價格
0.36
替代類型
MFR Recommended
部件編號
FDS8896
製造商
onsemi
可用數量
15395
部件號碼
FDS8896-DG
單位價格
0.24
替代類型
MFR Recommended
部件編號
SI4842BDY-T1-E3
製造商
Vishay Siliconix
可用數量
2491
部件號碼
SI4842BDY-T1-E3-DG
單位價格
0.97
替代類型
Parametric Equivalent
部件編號
AO4430
製造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
可用數量
8910
部件號碼
AO4430-DG
單位價格
0.33
替代類型
MFR Recommended
部件編號
IRF8113TRPBF
製造商
Infineon Technologies
可用數量
1665
部件號碼
IRF8113TRPBF-DG
單位價格
0.27
替代類型
MFR Recommended
DIGI 認證
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