SI4114DY-T1-E3
製造商產品編號:

SI4114DY-T1-E3

Product Overview

製造商:

Vishay Siliconix

零件編號:

SI4114DY-T1-E3-DG

描述:

MOSFET N-CH 20V 20A 8SO
详细描述:
N-Channel 20 V 20A (Tc) 2.5W (Ta), 5.7W (Tc) Surface Mount 8-SOIC

庫存:

11030 全新原裝現貨
12914743
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SI4114DY-T1-E3 技術規格

類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET,MOSFET
製造商
Vishay
包裝
Tape & Reel (TR)
系列
TrenchFET®
產品狀態
Active
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 (Vdss)
20 V
電流 - 連續漏極 (Id) @ 25°C
20A (Tc)
驅動電壓(最大 rds on,最小 rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (最大值) @ Id
2.1V @ 250µA
柵極電荷 (Qg) (Max) @ Vgs
95 nC @ 10 V
Vgs (最大值)
±16V
輸入電容 (Ciss) (Max) @ Vds
3700 pF @ 10 V
FET 特性
-
功率耗散(最大值)
2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
8-SOIC
包裝 / 外殼
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
基本產品編號
SI4114

資料表及文件

HTML 資料表
資料表
數據表

額外資訊

標準套餐
2,500
其他名稱
SI4114DY-T1-E3DKR
SI4114DY-T1-E3CT
SI4114DY-T1-E3-DG
SI4114DY-T1-E3TR

環境及出口分類

RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 狀態
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI 認證
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