SI4108DY-T1-GE3
製造商產品編號:

SI4108DY-T1-GE3

Product Overview

製造商:

Vishay Siliconix

零件編號:

SI4108DY-T1-GE3-DG

描述:

MOSFET N-CH 75V 20.5A 8-SOIC
详细描述:
N-Channel 75 V 20.5A (Tc) Surface Mount 8-SOIC

庫存:

12914377
請求報價
數量
最低限1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) 是必填的
我們會在24小時內回覆您
提交

SI4108DY-T1-GE3 技術規格

類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET,MOSFET
製造商
Vishay
包裝
-
系列
-
產品狀態
Obsolete
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 (Vdss)
75 V
電流 - 連續漏極 (Id) @ 25°C
20.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9.8mOhm @ 13.8A, 10V
Vgs(th) (最大值) @ Id
4V @ 250µA
柵極電荷 (Qg) (Max) @ Vgs
54 nC @ 10 V
輸入電容 (Ciss) (Max) @ Vds
2100 pF @ 38 V
FET 特性
-
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
8-SOIC
包裝 / 外殼
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
基本產品編號
SI4108

資料表及文件

HTML 資料表
資料表
數據表

額外資訊

標準套餐
2,500
其他名稱
SI4108DY-T1-GE3CT
SI4108DYT1GE3
SI4108DY-T1-GE3TR
SI4108DY-T1-GE3DKR

環境及出口分類

RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

替代模型

部件編號
DMT6010LSS-13
製造商
Diodes Incorporated
可用數量
5713
部件號碼
DMT6010LSS-13-DG
單位價格
0.46
替代類型
MFR Recommended
DIGI 認證
相關產品
vishay-siliconix

IRFR9210TRR

MOSFET P-CH 200V 1.9A DPAK

vishay-siliconix

SI4636DY-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 17A 8SO

vishay-siliconix

IRLU014PBF

MOSFET N-CH 60V 7.7A TO251AA

vishay-siliconix

IRFP22N60C3PBF

MOSFET N-CH 650V 22A TO247-3