製造商產品編號:
SI2316BDS-T1-E3
Product Overview
製造商:
Vishay Siliconix
零件編號:
SI2316BDS-T1-E3-DG
描述:
MOSFET N-CH 30V 4.5A SOT23-3
详细描述:
N-Channel 30 V 4.5A (Tc) 1.25W (Ta), 1.66W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
庫存:
8289 全新原裝現貨
12914960
請求報價
數量
最低限1
最低限1
(*) 是必填的
我們會在24小時內回覆您
我們會在24小時內回覆您
提交
SI2316BDS-T1-E3 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
Vishay
包裝
Tape & Reel (TR)
系列
TrenchFET®
產品狀態
Active
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
30 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
4.5A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
50mOhm @ 3.9A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
3V @ 250µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
9.6 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
350 pF @ 15 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
1.25W (Ta), 1.66W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
SOT-23-3 (TO-236)
包裝 / 外殼
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
基本產品編號
SI2316
資料表及文件
額外資訊
標準套餐
3,000
其他名稱
SI2316BDS-T1-E3-DG
SI2316BDST1E3
SI2316BDS-T1-E3CT
SI2316BDS-T1-E3TR
SI2316BDS-T1-E3DKR
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI 認證
相關產品
IRFS9N60A
MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK
IXFK20N80Q
MOSFET N-CH 800V 20A TO264AA
SI4172DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 15A 8SO
