SI1026X-T1-GE3
製造商產品編號:

SI1026X-T1-GE3

Product Overview

製造商:

Vishay Siliconix

零件編號:

SI1026X-T1-GE3-DG

描述:

MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SC89
详细描述:
Mosfet Array 60V 305mA 250mW Surface Mount SC-89 (SOT-563F)

庫存:

292563 全新原裝現貨
12916877
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SI1026X-T1-GE3 技術規格

類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管陣列
製造商
Vishay
包裝
Tape & Reel (TR)
系列
-
產品狀態
Active
科技
MOSFET (Metal Oxide)
配置
2 N-Channel (Dual)
FET 特性
Logic Level Gate
漏源電壓 (Vdss)
60V
電流 - 連續漏極 (Id) @ 25°C
305mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.4Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (最大值) @ Id
2.5V @ 250µA
柵極電荷 (Qg) (Max) @ Vgs
0.6nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) (Max) @ Vds
30pF @ 25V
功率 - 最大值
250mW
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
包裝 / 外殼
SOT-563, SOT-666
供應商設備包
SC-89 (SOT-563F)
基本產品編號
SI1026

資料表及文件

HTML 資料表
資料表
數據表

額外資訊

標準套餐
3,000
其他名稱
SI1026X-T1-GE3DKR
SI1026XT1GE3
SI1026X-T1-GE3CT
SI1026X-T1-GE3TR

環境及出口分類

RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI 認證
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