IRL630STRR
製造商產品編號:

IRL630STRR

Product Overview

製造商:

Vishay Siliconix

零件編號:

IRL630STRR-DG

描述:

MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
详细描述:
N-Channel 200 V 9A (Tc) 3.1W (Ta), 74W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

庫存:

12910939
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IRL630STRR 技術規格

類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET,MOSFET
製造商
Vishay
包裝
-
系列
-
產品狀態
Obsolete
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 (Vdss)
200 V
電流 - 連續漏極 (Id) @ 25°C
9A (Tc)
驅動電壓(最大 rds on,最小 rds on)
4V, 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
400mOhm @ 5.4A, 5V
Vgs(th) (最大值) @ Id
2V @ 250µA
柵極電荷 (Qg) (Max) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (最大值)
±10V
輸入電容 (Ciss) (Max) @ Vds
1100 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散(最大值)
3.1W (Ta), 74W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
TO-263 (D2PAK)
包裝 / 外殼
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
基本產品編號
IRL630

額外資訊

標準套餐
800

環境及出口分類

RoHS 狀態
RoHS non-compliant
濕氣敏感度等級 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

替代模型

部件編號
RCJ120N20TL
製造商
Rohm Semiconductor
可用數量
33
部件號碼
RCJ120N20TL-DG
單位價格
0.44
替代類型
MFR Recommended
部件編號
SIHL630STRL-GE3
製造商
Vishay Siliconix
可用數量
0
部件號碼
SIHL630STRL-GE3-DG
單位價格
0.45
替代類型
Parametric Equivalent
部件編號
IRL630SPBF
製造商
Vishay Siliconix
可用數量
0
部件號碼
IRL630SPBF-DG
單位價格
1.00
替代類型
Direct
部件編號
IRL630STRLPBF
製造商
Vishay Siliconix
可用數量
0
部件號碼
IRL630STRLPBF-DG
單位價格
1.02
替代類型
Parametric Equivalent
部件編號
IRL630STRRPBF
製造商
Vishay Siliconix
可用數量
0
部件號碼
IRL630STRRPBF-DG
單位價格
1.01
替代類型
Parametric Equivalent
DIGI 認證
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