製造商產品編號:
IRFBG30
Product Overview
製造商:
Vishay Siliconix
零件編號:
IRFBG30-DG
描述:
MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO220AB
详细描述:
N-Channel 1000 V 3.1A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB
庫存:
12906999
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IRFBG30 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
Vishay
包裝
-
系列
-
產品狀態
Obsolete
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
1000 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
3.1A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5Ohm @ 1.9A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4V @ 250µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
80 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
980 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
125W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Through Hole
供應商設備包
TO-220AB
包裝 / 外殼
TO-220-3
基本產品編號
IRFBG30
資料表及文件
額外資訊
標準套餐
1,000
其他名稱
*IRFBG30
環境及出口分類
RoHS 狀態
RoHS non-compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
部件編號
IRFPG30PBF
製造商
Vishay Siliconix
可用數量
124
部件號碼
IRFPG30PBF-DG
單位價格
1.48
替代類型
Parametric Equivalent
DIGI 認證
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