製造商產品編號:
2N6661JTX02
Product Overview
製造商:
Vishay Siliconix
零件編號:
2N6661JTX02-DG
描述:
MOSFET N-CH 90V 860MA TO39
详细描述:
N-Channel 90 V 860mA (Tc) 725mW (Ta), 6.25W (Tc) Through Hole TO-39
庫存:
12873273
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2N6661JTX02 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
Vishay
包裝
-
系列
-
產品狀態
Obsolete
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
90 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
860mA (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4Ohm @ 1A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
2V @ 1mA
Vgs （最大值）
±20V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
50 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
725mW (Ta), 6.25W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Through Hole
供應商設備包
TO-39
包裝 / 外殼
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
基本產品編號
2N6661
額外資訊
標準套餐
20
環境及出口分類
RoHS 狀態
RoHS non-compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
DIGI 認證
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