UJ3C120080K3S
製造商產品編號:

UJ3C120080K3S

Product Overview

製造商:

Qorvo

零件編號:

UJ3C120080K3S-DG

描述:

SICFET N-CH 1200V 33A TO247-3
详细描述:
N-Channel 1200 V 33A (Tc) 254.2W (Tc) Through Hole TO-247-3

庫存:

6164 全新原裝現貨
12968555
請求報價
數量
最低限1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) 是必填的
我們會在24小時內回覆您
提交

UJ3C120080K3S 技術規格

類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET,MOSFET
製造商
Qorvo
包裝
Tube
系列
-
產品狀態
Active
FET 類型
N-Channel
科技
SiCFET (Cascode SiCJFET)
漏源電壓 (Vdss)
1200 V
電流 - 連續漏極 (Id) @ 25°C
33A (Tc)
驅動電壓(最大 rds on,最小 rds on)
12V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
100mOhm @ 20A, 12V
Vgs(th) (最大值) @ Id
6V @ 10mA
柵極電荷 (Qg) (Max) @ Vgs
51 nC @ 15 V
Vgs (最大值)
±25V
輸入電容 (Ciss) (Max) @ Vds
1500 pF @ 100 V
FET 特性
-
功率耗散(最大值)
254.2W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型
Through Hole
供應商設備包
TO-247-3
包裝 / 外殼
TO-247-3
基本產品編號
UJ3C120080

資料表及文件

HTML 資料表
資料表

額外資訊

標準套餐
30
其他名稱
2312-UJ3C120080K3S

環境及出口分類

RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 (MSL)
Not Applicable
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI 認證
相關產品
alpha-and-omega-semiconductor

AOT190A60CL

MOSFET N-CH 600V 20A TO220

toshiba-semiconductor-and-storage

SSM3J371R,LXHF

SMOS P-CH VDSS:-20V VGSS:-8/+6V

fairchild-semiconductor

ISL9N312AS3ST

N-CHANNEL POWER MOSFET

onsemi

2SK2624LS-CD11

N-CHANNEL SILICON MOSFET