製造商產品編號:
UF3C065080B7S
Product Overview
製造商:
Qorvo
零件編號:
UF3C065080B7S-DG
描述:
SICFET N-CH 650V 27A D2PAK-7
详细描述:
N-Channel 650 V 27A (Tc) 136.4W (Tc) Surface Mount D2PAK-7
庫存:
2961 全新原裝現貨
12987825
請求報價
數量
最低限1
最低限1
(*) 是必填的
我們會在24小時內回覆您
我們會在24小時內回覆您
提交
UF3C065080B7S 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
Qorvo
包裝
Tape & Reel (TR)
系列
-
產品狀態
Active
FET 類型
N-Channel
科技
SiCFET (Cascode SiCJFET)
漏源電壓 （Vdss）
650 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
105mOhm @ 20A, 12V
Vgs（th） （最大值） @ Id
6V @ 10mA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
23 nC @ 12 V
Vgs （最大值）
±25V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
760 pF @ 100 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
136.4W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
D2PAK-7
包裝 / 外殼
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
基本產品編號
UF3C065080
資料表及文件
額外資訊
標準套餐
800
其他名稱
2312-UF3C065080B7STR
2312-UF3C065080B7SCT
2312-UF3C065080B7SDKR
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
3 (168 Hours)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI 認證
相關產品
E3M0060065D
60M 650V SIC AUTOMOTIVE MOSFET
IPP019N06NF2SAKMA1
TRENCH 40<-<100V PG-TO220-3
GT700P08T
P-80V, -25A,RD<72M@-10V,VTH-2V~-
