製造商產品編號:
TPH3205WSB
Product Overview
製造商:
Transphorm
零件編號:
TPH3205WSB-DG
描述:
GANFET N-CH 650V 36A TO247-3
详细描述:
N-Channel 650 V 36A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-247-3
庫存:
13445842
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TPH3205WSB 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
Transphorm
包裝
-
系列
-
產品狀態
Obsolete
FET 類型
N-Channel
科技
GaNFET (Gallium Nitride)
漏源電壓 （Vdss）
650 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
36A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
60mOhm @ 22A, 8V
Vgs（th） （最大值） @ Id
2.6V @ 700µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
42 nC @ 8 V
Vgs （最大值）
±18V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
2200 pF @ 400 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
125W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型
Through Hole
供應商設備包
TO-247-3
包裝 / 外殼
TO-247-3
額外資訊
標準套餐
180
環境及出口分類
RoHS 狀態
RoHS Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
部件編號
TK39N60X,S1F
製造商
Toshiba Semiconductor and Storage
可用數量
30
部件號碼
TK39N60X,S1F-DG
單位價格
3.43
替代類型
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