製造商產品編號:
TP65H150LSG
Product Overview
製造商:
Transphorm
零件編號:
TP65H150LSG-DG
描述:
GANFET N-CH 650V 15A 3PQFN
详细描述:
N-Channel 650 V 15A (Tc) 69W (Tc) Surface Mount 3-PQFN (8x8)
庫存:
13211486
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TP65H150LSG 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
Transphorm
包裝
-
系列
-
產品狀態
Obsolete
FET 類型
N-Channel
科技
GaNFET (Gallium Nitride)
漏源電壓 （Vdss）
650 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
15A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
180mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4.8V @ 500µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
7.1 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
576 pF @ 400 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
69W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
3-PQFN (8x8)
包裝 / 外殼
3-PowerDFN
資料表及文件
數據表
額外資訊
標準套餐
60
其他名稱
1707-TP65H150LSG
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
3 (168 Hours)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
DIGI 認證
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