製造商產品編號:
TP65H050G4YS
Product Overview
製造商:
Transphorm
零件編號:
TP65H050G4YS-DG
描述:
650 V 35 A GAN FET HIGH VOLTAGE
详细描述:
N-Channel 650 V 35A (Tc) 132W (Tc) Through Hole TO-247-4L
庫存:
450 全新原裝現貨
13259175
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TP65H050G4YS 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
Transphorm
包裝
Tube
系列
SuperGaN®
產品狀態
Active
FET 類型
N-Channel
科技
GaNFET (Gallium Nitride)
漏源電壓 （Vdss）
650 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
35A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
60mOhm @ 22A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4.8V @ 700µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
1000 pF @ 400 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
132W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Through Hole
供應商設備包
TO-247-4L
包裝 / 外殼
TO-247-4
額外資訊
標準套餐
450
其他名稱
1707-TP65H050G4YS
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
3 (168 Hours)
DIGI 認證
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